RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
40
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2362
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link