RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
40
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2362
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link