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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
39
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1881
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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