RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
11.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1881
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link