Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Puntuación global
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 49
    En 29% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 10.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 49
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 10.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2312 left arrow 2504
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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