Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    35 left arrow 49
    Autour de 29% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 10.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.6 left arrow 8.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 12800
    Autour de 1.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    35 left arrow 49
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.7 left arrow 10.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.6 left arrow 8.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2312 left arrow 2504
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons