RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
49
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
10.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2504
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link