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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2841
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
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