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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2841
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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