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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
72
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
72
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1918
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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