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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
52
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
12800
En 1.37 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
52
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17500
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
2319
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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