RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
2434
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link