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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
比較する
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
総合得点
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
8.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
25
周辺 -4% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
24
読み出し速度、GB/s
15.3
14.7
書き込み速度、GB/秒
9.8
8.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2646
2434
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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