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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
15.3
14.7
写入速度,GB/s
9.8
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2434
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
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