RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
3026
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link