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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
16800
En 1.01% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
16800
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2318
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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