RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
16800
Rund um 1.01% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
16800
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2318
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link