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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
16800
Autour de 1.01% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
16800
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2318
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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