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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
19.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
3698
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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