RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
16.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
87
En -412% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
17
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3550
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link