TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 20.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 16.0

Średnia wartość w badaniach

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

17 87

Wokół strony -412% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 17
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 20.9
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 17000

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 3550

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Super Talent F24SB8GH 8GB

Super Talent F24SB8GH 8GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB