RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
40
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
40
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
2031
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link