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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2806
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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