RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2806
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link