RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
39
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
20
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
2414
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link