RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
64
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
2974
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link