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Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2633
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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