RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2633
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link