RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Vergleichen Sie
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Gesamtnote
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K531R8-MIN 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
2633
Kingston K531R8-MIN 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link