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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
64
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2974
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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