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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2347
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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