RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2347
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link