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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Compara
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
12
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2347
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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