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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
40
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
2407
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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