RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
2407
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link