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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
AMD R538G1601S2LS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R538G1601S2LS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
1793
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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