RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
39
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
31
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
3112
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link