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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
71
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1979
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
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