RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
19.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
3650
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link