RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
3650
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link