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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
3066
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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