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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Compara
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
3406
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
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