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PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3257
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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