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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2955
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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