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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3365
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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