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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3731
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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