RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3384
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link