RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3012
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link