RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2807
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link