PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 27
    En -23% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 16.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 2340
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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