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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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Especificaciones
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PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3127
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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